				경북･구미 반도체특화단지 추진단 소식

제41호 2025.12.08.

	｢반도체산업 기업협의회 간담회｣ 개최 2025.12.01.(월) / 호텔 금오산

□ 반도체특화단지 추진사업 및 기업 지원사업 계획 안내

□ 반도체 기업의 애로사항 청취 및 사업 운영방향 논의 등

□ 각종사업 추진에 따른 기업 협력 요청

□ 중소기업 기술협력 및 사업운영 애로사항 정취 등

	｢일본 SEMICON 참관단 사전간담회｣ 개최 2025.12.01.(월) / 호텔 금오산

□ 일본 세미콘 참관 및 일본 반도체 산업현장 시찰 사업 소개

□ 참여 기업 소개 및 현지 세부 프로그램 안내

□ 참가자 간 교류 및 준비사항 안내 등

	｢SEMICON JAPAN 2025｣ 동경 반도체 박람회 참관 안내 2025.12.17.-19(수-금) / 도쿄, 일본

∎ 일본 세미콘 참관 및 반도체 산업현장 시찰 프로그램 개요

□ 주 관 : 경북・구미 반도체특화단지추진단

□ 기 간 : 2025. 12. 16.(화) ~ 12. 19.(금) / 3박 4일 간

□ 장 소 : 일본 도쿄

□ 주요내용

- 세계 반도체 산업의 최신기술 및 동향 파악의 기회를 제공

- SEMICON JAPAN 참관 및 반도체 산업현장 시찰과 네트워킹

- 선진 반도체 산업현장 시찰 및 최신 반도체 글로벌 시장동향 파악

- 반도체 산업 마케팅 전략 수립

- 일본 반도체 기업과 한국 기업 간의 비즈니스 협력 방안 모색 등

	｢2026 SEMICON KOREA ｣ 안내 2026.02.11.-13.(수-금) / 서울 코엑스

□ 최신 반도체 재료, 장비 및 관련 기술, 반도체 기술 심포지엄 개최 □ 마켓 트렌드 모색, 구매상담회 등을 통해 업계 최신 정보를 교환할 수 있는 장 마련 □ 반도체 산업의 리더가 글로벌 첨단 산업의 미래와 나아가야 할 방향에 대해 인사이트 를 제공 □ 반도체 산업으로 진로를 희망하는 대학생 을 위한 멘토링 프로그램이 진행 등 □ 관람신청 - 사전등록 : 무료 - 현장등록 : 30,000원

				반도체(소재 부품 장비) 관련 뉴스

제41호 2025.12.08.

	｢300mm QST 기판을 사용한 고내압 GaN HEMT 2025.11.17.(월) / EE Times Japan

□ 서론 : 신에츠 화학공업은 2025년 11월, 300mm 질화 갈륨(GaN) 전용 성장 기판인 'QST 기판'을 사용하여 imec이 5μm 두께의 GaN HEMT 구조를 제작하고 650V를 초과하는 고내압을 달성했다고 발표했다. "SEMI 규격에 준거한 300mm 기판으로는 세계 최고 수준의 파괴 전압"(해당사)이라고 밝혔다

□ 내용 : QST 기판은 미국 Qromis가 개발한 GaN 성장 전용 복합 재료 기판이다. 신에츠 화학은 2019년 Qromis로부터 라이선스를 취득하여 직경 150mm 및 200mm의 QST 기판과 다양한 기판 크기의 GaN on QST 에피택셜 기판을 제조해 왔다. 2024년 9월에는 Qromis와 협력하여 300mm QST 기판 샘플 출하를 시작했다. 또한 양사는 imec과의 협력 관계를 바탕으로 imec의 최첨단 300mm CMOS 팹을 위해 300mm QST 기판을 제공해 왔다. imec은 이 300mm QST 기판을 사용하여 GaN 파워 디바이스 개발을 시작했다. 실험에서는 300mm QST 기판 위에 Aixtron의 Hyperion MOCVD 장비를 사용하여 5μm 두께의 GaN HEMT 구조를 제작했다. 이 시료를 평가한 결과 파괴 전압은 800V 이상으로 나타났다. 이는 GaN의 열팽창 계수에 부합하는 QST 기판에서는 대경화(大口径化)되어도 GaN의 결정 성장이 안정적임을 보여주는 것이라고 한다.

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢AI 반도체 발전이 이끄는 첨단 제조산업의 미래｣ 2025.11.20.(목) / 글로벌공급망 인사이트

□ 서론 : 최근 글로벌 반도체 시장은 AI와 데이터센터 등 신기술 수요를 바탕으로 빠른 성장세를 보이고 있음. 2024년 전 세계의 반도체 시장 규모는 약 6,820억 달러, 올해 추정치는 약 7,550억 달러임. 반도체 산업의 성장 중심에는 AI 반도체가 있음. AI 반도체는 병렬 연산으로 가능해진 대규모 데이터 처리, 실시간 추론 능력으로 기존 반도체는 감당하기 어려웠던 특화 작업을 해결하면서 전체 반도체 시장의 약 11~13%까지 점유율이 확대되고 있음. 이는 ChatGPT와 같은 생성형 AI 모델의 일상·대중화, 자율주행 등 데이터 수요의 급증에서 기인함

□ 내용 :  최근 엔비디아 GPU, 특히 최첨단 블랙웰 칩을 둘러싼 국제 정세와 산업계의 움직임이 주목받고 있음. 지난 11.2일, 트럼프 美 대통령은 블랙웰 시리즈를 포함한 최신 엔비디아 칩의 수출을 전면적으로 막겠다는 규제 의지를 밝혔음. 이는 지난 10월, 엔비디아가 한국 정부와 주요 4개 기업(삼성전자·SK그룹·현대차그룹·네이버클라우드)에 GPU 26만 장을 공급*하기로 한 것과 상충함. 따라서 트럼프의 발언과 美 행정부의 기조가 유지될경우, 엔비디아의 GPU 공급 전망은 현재로서 불투명해진 상황임

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢대만 반도체, 전력 공급 리스크 부상｣ 2025.11.25.(화) / IITP

]

□ 서론 : 대만 반도체 기업의 전력 소비가 2024년 기준 전체 전력의 약 9% 차지, 2030년에는 국가 전체 발전량의 35~40%를 점유할 것으로 예상되면서 국가 에너지 정책의 최대 변수로 부상. 2017년 이후 총 5차례의 대형 정전 사태가 발생하였으며, 2024년에도 북부 지역에서 3일간 연속 전력 부족 사태가 발생하며 산업계의 전력 공급 신뢰도에 대한 우려가 심화되는 상황.  반도체 제조는 전압 변동이나 정전 발생 시 진행 중인 전체 웨이퍼 배치가 폐기되어 수억 달러규모의 직접 손실이 발생하는 구조로 전력 포위망은 반도체 공급망 전체의 시스템 리스크로 작용

□ 내용 : 반도체 제조 공정은 클린룸 환경 유지를 위한 공조 설비와 초순수 생산 시스템 등 지원 설비가전체 전력 소비의 약 57%를 차지, 칩 생산 장비의 40%와 합쳐 매우 높은 전력 집약도 보유 이에 TSMC의 Fab 15의 경우 반도체 공정의 전력 안정성을 위하여 최대 5분간 전력 공급이 가능한 대형 배터리 시스템과 즉시 가동할 수 있는 디젤 발전기를 상시 대기시켜 정전 대비  첨단 공정일수록 전력 소비 증가 추세가 뚜렷하며, 극자외선 (EUV) 리소그래피를 사용하는 7nm 이하 공정은 기존 공정 대비 더 많은 에너지를 소비하여 에너지 부담 가중 추세

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢에지 AI에야말로 첨단 패키징 기술｣ 2025.11.17.(월) / EE Times

□ 서론 :  AI가 클라우드에서 에지 디바이스로 급속히 이동함에 따라 에지 AI가 폭발적인 성장을 이루고 있다. 에지 AI 디바이스는 현재 자동차, PC, 로봇공학, 스마트폰, 감시 등 분야에서 도입이 가속화되고 있으며, 그수는 2030년까지 연평균 성장률(CAGR) 17%로 증가해 20억 대를 넘어설 것으로 예상된다. 클라우드 AI 시스템은 최대 1만 TOPS의 연산 능력을 제공하며 막대한 전력 예산과 많은 투자가 필요하지만, 에지 AI 애플리케이션용 IC 설계는 이와 완전히 다르다. 에지 AI 디바이스에 필요한 전력은 일반적으로 1~50TOPS 정도로, 엄격한 전력 제한(0.01~1W)과 비용 제약(10~1000달러)이 존재한다. 따라서 반도체 제조사는 대역폭, 성능, 폼 팩터, 열적 과제, 비용 문제 등을 동시에 해결해야 한다

□ 내용 :  3D 적층을 지원하는 다양한 기술 중 실리콘 관통 비아(TSV)는 중요한 이네이블러 중 하나이다. TSV는 TSV가 형성되는 제조 단계에 따라 '비아 퍼스트(via-first)', '비아 미들(via-middle)', '비아 라스트 (via-last)'로 분류할 수 있다. 칩이나 웨이퍼에 드릴로 구멍을 뚫고 그곳에 금속을 충전함으로써 수직 전기 연결을 형성하여 적층된 다이 층 간에 직접 신호 전송이 가능해진다. 특히 TSV 라스트는 고성능 로직웨이퍼나 성숙 노드의 메모리 웨이퍼를 적층하는 등 헤테로지니어스 통합에 특히 적합하다. TSV 외에도 3D 통합 개발의 중요한 견인차로 등장한 것이 하이브리드 본딩이다. 기존 마이크로 범프기술과 달리 하이브리드 본딩은 웨이퍼 표면에서 금속(metal-to-metal) 접합과  전체(dielectric-todielectric) 접합을 결합함으로써 매우 작은 피치로 웨이퍼 간 또는 칩 간 직접 상호 연결을 실현할 수 있다. 그 결과 RC 지연 및 전력 소비량을 줄이고 신호 무결성도 향상시킬 수 있다

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢인도 반도체 산업 동향과 우리 기업의 진출 기회｣ 2025.11. / KOTRA

□ 서론 :  (수요 동향)‘메이크 인 인디아’정책 강화로 반도체 수요는 2025년 520~540억 달러➝ 2030년 1,030억~1,100억 달러*로 성장 전망

* 1조 달러 글로벌 반도체 시장에서 점유율 10% 차지 기대

(생산 현황) 생산 기반이 없어, 상업용 반도체는 중국, 한국, 대만 등지로부터 전량 수입에 의존 (2024년 기준, 238억 달러 수입)

* 3개의 Fab이 있으나, 국방·우주 분야 특수목적 칩만 소량 생산

(생산 전망) 연방 및 주정부의 보조금 제도를 기반으로, 후공정·Fab공장 설립에 주력하는 가운데, 노동집약형 조립·패키징 (ATMP/OSAT) 시설 유치에 우선 초점

□ 내용 : 반도체 소재·부품·장비 수출 기회 확대 예상, 특히 초기에는 28nm 이하 레거시 칩과 ATMP/OSAT에 집중하고 있는데, 이 분야는 우리 중소기업들이 충분히 경쟁력 보유

* 유망품목 예시: 리드프레임, 솔더볼, 솔더페이스트, 테스트 장비, 온도제어 장비 등

인도 설계 역량 활용 공동 IP 개발 및 기술 상용화 협력 확대 가능, 인도 설계 전문 인력풀(IIT 등) 활용, 공동설계·검증센터 건립구축도 검토해 볼 만함.

중장기적으로는 단독진출 혹은 합작 등을 통해 생산 거점 구축 검토, 내수 잠재력과 글로벌 공급망 재편 흐름(China+1 등) 속에서, 인도 진출은 시점과 방식의 문제로 접근할 필요

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢파워 GaN 2025｣ 2025.10. / EE Times Japan

□ 서론 : 2025년은 AI 개발이 크게 가속화된 해로, 데이터 센터와 통신 인프라 전반에 걸쳐 고효율 전원 공급 장치에 대한 수요가 증가하고 있습니다. NVIDIA는 텍사스 인스트루먼트, 나비타스, 인피니언 등과 협력하여 800V 고전압 직류(HVDC) 시스템에 GaN(질화 갈륨) 채택을 촉진하고 있으며, 2030년에는 데이터 센터와 통신 분야가 시장의 13%를 차지할 것으로 예상됩니다.

□ 내용 : 파워 GaN 시장은 2020년부터 2025년까지 10배 이상 성장했으며, 2030년까지 29억 달러에 달할 것으로 예상됩니다(2024-2030년 연평균 성장률 42%). 소비자용 애플리케이션이 주요 성장 동력으로, 특히 300W급 고속 충전기 및 과전압 보호(OVP), 가전제품 등 신규기회가 부각됩니다. 2030년까지 소비자 및 모바일 부문이 시장 점유율 50% 이상을 차지할 전망입니다. xEV 파워트레인 도입 지연에도 불구하고 자동차 및 모빌리티 분야가 또 다른 주요 성장 동력입니다. GaN은 이미 ADAS용 LiDAR 시스템에 사용되고 있으며, 온보드 충전기(<11kW), DC-DC 컨버터, 오디오, 프리미엄 e-모빌리티 분야로 확대될 전망이다.

2030년에는 이 부문이 시장의 약 19%를 차지할 것이다. 산업 및 에너지 그리드는 전력용 GaN의 세 번째 주요 성장 동력으로 부상 중이다. 에너지 분야에서는 Enphase의 최초 GaN 기반 마이크로인버터로 태양광 발전이 진전되고 있으며, BESS/휴대용 저장 장치에서도 활용이 확대되고 있습니다. 산업 분야에서는 로봇공학 및 모터 드라이브가 강력한 기회를 열 것으로 예상되며, 2028-2029년경 도입이 가속화될 전망입니다. 이 두 부문은 2030년 전체 시장의 약 11%를 차지할 것입니다

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢차세대 수직형 GaN 파워 반도체｣ 2025.11.25.(화) / 모노이스트

□ 서론 : 온세미는 2025년 10월 30일, AI(인공지능) 데이터센터 및 EV(전기차) 등 고전력 애플리케이션을 위한 차세대 수직형 GaN(질화 갈륨) 파워 반도체를 발표했다.

□ 내용 : 이 구조를 통해 기존 대비 약 50%의 손실 저감과 3분의 1의 소형화를 달성했다. 전력 밀도를 높이는 동시에 발열을 억제하여 냉각 비용을 절감한다. AI 서버의 DC-DC 컨버터에서는 랙당 비용을 낮추고, EV에서는 고효율 인버터를 통해 주행 거리를 연장할 수 있다. 충전 인프라에서는 더 빠르고 소형이며 견고성이 높은 충전기가 가능해지며, 재생 에너지 분야에서는 태양광 및 풍력 인버터의 고내압화와 에너지 손실 저감에 기여한다.

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢반도체 장비에 '슈퍼사이클'론｣ 2025.11.14.(금) / 일본경제신문

□ 서론 : 세계 반도체 수요가 2026년에 급증할 것이라는 전망이 강해지고 있다. 반도체제조 장비 대기업들이 7~9월(일부는 8~10월) 분기 실적을 발표하며 각사 최고경영진이 낙관적인 전망을 제시했다. 인공지능(AI)용 데이터센터 투자 과열에 대한 우려도 있는 가운데, 장비 업계는 수요 급증기를 의미하는 '슈퍼사이클'에 진입할 것이라는 목소리가 나오고 있다.

□ 내용 : 제조장비 대기업 10개사(일본·미국·유럽)의 결산이 14일 모두 발표됐다. 전체 순이익은 전년 동기 대비 19% 증가한 93억 달러(약 1조 4000억 엔)로 6분기 연속 증가세를 기록했다. 8개사가 매출 증가를 보였으며, 주로 데이터센터에서 사용되는 AI 반도체 제조에 필요한 첨단 장비를 생산하는 기업들의 실적이 호조를 보였다.

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.

	｢ 중국 세력이 도약하는 SiC 시장｣ 2025.11.27.(목) / EE Times Japan

□ 서론 : 고내열/고내압 용도로 실리콘(Si)을 대체할 차세대 파워 반도체 소재로서, 실리콘 카바이드(SiC)에 대한 관심이 점점 높아지고 있다. 나고야 공업대학 전기·기계공학과 교수인 가토 마사후미(加藤正史) 씨는 SiC(실리콘 카바이드)와 질화갈륨(GaN)의 특성 평가 연구에 매진하고 있다. 2025년 9월에 개최된 SiC 관련 국제 학회 'International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ICSCRM/통칭 아이스크 림) 2025'에서의 동향 등을 바탕으로, SiC 개발 현황과 일본을 포함한 세계 플레이어들의 세력도에 대해 들었다.

□ 내용 : 디바이스 제조사에게 있어큰 과제 중 하나는 8인치 라인의 수율 향상이다. SiC 웨이퍼는 제조사마다 제조법과 특성이 다르기 때문에, 어디서 웨이퍼를 조달할지, 어떻게 그 웨이퍼에 최적화된 공정을 확립할지가 중요한 과제다. 물론 단일 벤더에만 의존할 수 없으므로, 여러 벤더의 웨이퍼에 맞춰 수율이 높은 공정을 확립해야 한다. 매우 도전적이지만, 필수적인 노력이다. 웨이퍼 제조사의 과제는 12인치 웨이퍼의 저비용화와 평가 기술 확립이다. 12인치 웨이퍼의 제품화는 급속히 진행되었기에 평가 기술이 따라잡지 못하고 있는 것이 현실이다. 평가 장치의 크기도 커지고 평가 데이터도 상당히 많아지므로, 어떻게 평가를 수행하고 제조에 연결해 나갈것인가는 각사가 매우 고민하는 부분일 것이다.

* 자세한 자료는 첨부 자료 참조 바랍니다.